Phun plasma là gì? Các bài nghiên cứu khoa học liên quan

Phun plasma là kỹ thuật phun phủ nhiệt sử dụng luồng plasma siêu nóng để làm tan chảy vật liệu bột và bắn lên bề mặt chi tiết, tạo lớp màng chức năng bảo vệ. Công nghệ này xuất hiện từ thập niên 1970 và liên tục được cải tiến qua đa dạng vật liệu, quy trình và điều khiển tự động để tối ưu độ bám dính, độ xốp và tính năng của lớp phủ.

Định nghĩa và lịch sử phát triển

Tóm tắt: Phun plasma (plasma spray) là phương pháp phun phủ nhiệt sử dụng luồng plasma nhiệt độ cao để làm nóng chảy vật liệu dạng bột và bắn chúng lên bề mặt chi tiết, tạo lớp màng chức năng hoặc bảo vệ.

Khởi đầu từ giai đoạn những năm 1970, công nghệ phun plasma được phát triển để đáp ứng nhu cầu lớp phủ chịu nhiệt cho động cơ tua bin khí. Thiết bị đầu tiên chủ yếu dùng hồ quang DC đơn giản, khí plasma thường là argon tinh khiết.

Qua ba thập kỷ, hệ thống phun plasma đã cải tiến toàn diện về nguồn cấp điện, thiết kế súng phun, và kiểm soát quá trình. Các cải tiến quan trọng bao gồm chuyển từ hồ quang DC sang AC, bổ sung khí hỗn hợp Ar–H₂ để tối ưu nhiệt độ và tốc độ dòng plasma (ASM International).

Năm Milestone
1970 Thiết bị plasma DC đầu tiên cho lớp phủ chịu nhiệt tua bin
1985 Ứng dụng Ar–H₂ cải thiện hiệu suất plasma
2000 Phát triển phun plasma chân không (VPS)
2015 Tích hợp giám sát trực tuyến và điều khiển tự động

Nguyên lý hoạt động và đặc tính plasma

Tóm tắt: Plasma, trạng thái thứ tư của vật chất, là khí bị ion hóa với nhiệt độ từ 5 000 K đến 20 000 K, dẫn điện cao và mang năng lượng tập trung để làm tan chảy hạt vật liệu.

Trong buồng phun plasma, khí nguyên tố như argon hoặc hỗn hợp Ar–H₂ được ion hóa bằng hồ quang điện áp cao, hình thành cột plasma ổn định. Nhiệt độ và mật độ điện tử của plasma tuân theo Saha:

ni+1neni=2Zi+1Zi(2πmekBTh2)3/2eEi/(kBT) \frac{n_{i+1}n_e}{n_i} = \frac{2Z_{i+1}}{Z_i} \Bigl(\frac{2\pi m_e k_BT}{h^2}\Bigr)^{3/2} e^{-E_i/(k_BT)}

  • Nhiệt độ plasma: 5 000–20 000 K giúp tan chảy gần như hoàn toàn hạt bột (10–100 µm).
  • Tốc độ dòng: 300–800 m/s đẩy hạt nóng chảy bám dính mạnh lên bề mặt mục tiêu.
  • Độ dẫn điện: cao, duy trì hồ quang ổn định ngay cả dưới áp suất thay đổi.

Nhờ đặc tính này, phun plasma có thể xử lý đa dạng vật liệu từ oxit gốm đến kim loại và composite, tạo lớp phủ có độ bám dính và tính năng cơ – lý – hóa vượt trội.

Các loại phun plasma

Tóm tắt: Có hai hình thức chính: phun plasma khí nóng (APS – Atmospheric Plasma Spray) trong không khí và phun plasma chân không (VPS – Vacuum Plasma Spray) trong buồng chân không áp suất thấp.

APS triển khai đơn giản, chi phí thiết bị thấp hơn, nhưng dễ gây oxi hóa bề mặt vật liệu phủ. VPS khắc phục nhược điểm trên bằng môi trường chân không, giảm tạp chất và tăng độ bám dính.

Đặc điểm APS VPS
Môi trường Áp suất khí quyển Chân không (10⁻²–10⁻³ Torr)
Oxi hóa Cao Thấp
Độ bám dính Trung bình Cao
Chi phí Thấp Cao

Ngoài APS và VPS, các biến thể hybrid như HVOF–plasma kết hợp phun hơi nóng và plasma cũng đang phát triển để tối ưu chất lượng lớp phủ và năng suất.

Thiết bị và quy trình phun plasma

Tóm tắt: Hệ thống phun plasma cơ bản bao gồm nguồn cấp điện (power supply), súng phun plasma, bộ cấp bột, hệ thống gas và bộ điều khiển quy trình.

Cấu tạo chính của súng phun plasma:

  1. Điện cực âm (cathode): thường làm bằng tungsten chịu nhiệt.
  2. Điện cực dương (anode): bằng đồng nước, định hình cột plasma.
  3. Ống phun (nozzle): tập trung dòng plasma và hướng luồng hạt.

Quy trình phun plasma điển hình:

  • Làm sạch bề mặt: loại bỏ dầu mỡ, oxit bằng hóa chất hoặc mài mòn.
  • Tiền xử lý: mài nhám hoặc phun bi để tăng độ nhám bề mặt.
  • Phun plasma: cấp gas, thiết lập hồ quang, cấp liệu bột theo lưu lượng xác định.
  • Xử lý hậu phun: gia nhiệt khử ứng suất nhiệt, làm nguội từ từ để ổn định cấu trúc.

Kiểm soát tự động các thông số (dòng điện hồ quang, lưu lượng gas, tốc độ cấp bột) qua hệ thống PLC/SCADA giúp đảm bảo tính nhất quán và chất lượng của lớp phủ theo yêu cầu công nghiệp.

Nguyên liệu phun (feedstock)

Tóm tắt: Vật liệu feedstock cho phun plasma thường ở dạng bột mịn với kích thước hạt dao động 10–100 µm, đảm bảo độ tan chảy nhanh và sự bám dính tốt khi hạt va chạm bề mặt mục tiêu.

Phổ biến nhất là:

  • Oxide gốm: Al₂O₃, TiO₂, ZrO₂ – cung cấp khả năng cách điện, chịu mài mòn và chịu nhiệt cao.
  • Cacbua và nitride: WC–Co, TiC, SiC – ứng dụng trong chống mài mòn, chịu tải cơ học lớn.
  • Kim loại và hợp kim: NiCr, CoNiCrAlY, Inconel – tăng khả năng kháng ăn mòn và truyền nhiệt điều khiển.
  • Composite: Pha tổ hợp giữa gốm và kim loại (cermet) để tối ưu đồng thời độ cứng và độ bám dính.
Loại vật liệu Kích thước hạt (µm) Ứng dụng chính
Al₂O₃ 15–45 Cách điện, lớp lót chịu mài mòn
WC–Co 10–30 Chống mài mòn, khuôn đúc
NiCr 20–60 Chống ăn mòn, lớp bảo vệ nhiệt

Các tham số quá trình và ảnh hưởng

Tóm tắt: Hiệu quả và chất lượng lớp phủ phụ thuộc vào nhiều thông số quy trình, trong đó các tham số chính bao gồm công suất hồ quang, lưu lượng khí, khoảng cách phun, tốc độ di chuyển súng và lưu lượng cấp bột.

Cụ thể:

  1. Công suất hồ quang (kW): Tăng công suất làm tăng nhiệt độ plasma, đảm bảo hạt tan chảy hoàn toàn nhưng có thể gây oxi hóa hoặc cháy bột.
  2. Lưu lượng khí plasma (l/min): Điều chỉnh tỉ lệ Ar–H₂ ảnh hưởng đến nhiệt độ và tính ổn định cột plasma; H₂ trợ năng lượng nhiệt và giảm oxi hóa.
  3. Khoảng cách phun (stand-off, mm): Khoảng 80–150 mm thường tối ưu; khoảng cách ngắn giúp giảm xốp nhưng tăng ứng suất nhiệt.
  4. Tốc độ di chuyển súng (mm/s): 200–500 mm/s để đảm bảo lớp phủ đều, tránh dầy chỗ và nứt nhiệt.
  5. Lưu lượng cấp bột (g/min): Phải cân bằng so với công suất và tốc độ dòng plasma; quá nhiều bột gây không tan chảy đầy đủ, quá ít làm giảm năng suất.

Sự tương tác giữa các tham số này được điều khiển bằng hệ thống PLC/SCADA để đảm bảo mỗi lớp phủ đạt được độ dày, độ bám dính và cấu trúc vi mô mong muốn.

Cấu trúc vi mô và tính chất lớp phủ

Tóm tắt: Lớp phủ plasma thường có cấu trúc “splats” – các viên mảnh hình đĩa xếp chồng xen kẽ, tạo nên độ xốp 5–15% và liên kết cơ học cơ bản với nền kim loại.

Đặc điểm vi cấu trúc:

  • Độ xốp: Tạo lỗ rỗng nhỏ giúp giảm hệ số dẫn nhiệt, đồng thời tăng độ bám dính cơ học.
  • Độ cứng và độ bền mài mòn: Phụ thuộc pha vật liệu và độ tan chảy; lớp phủ ceramic có độ cứng 1000–1200 HV.
  • Ứng suất nội tại: Phát sinh do làm nguội nhanh, có thể gây nứt; yêu cầu xử lý hậu phun để giảm ứng suất.
Thông số Giá trị điển hình Ảnh hưởng
Độ xốp 5–15 % Giảm dẫn nhiệt, tăng bám dính
Độ cứng 700–1200 HV Chống mài mòn
Ứng suất –200–+200 MPa Có thể gây nứt lớp phủ

Ứng dụng công nghiệp

Tóm tắt: Phun plasma được sử dụng rộng rãi trong các ngành hàng không vũ trụ, ô tô, sản xuất khuôn và y sinh nhờ khả năng tạo lớp phủ chịu nhiệt, chống mài mòn và cách điện.

Ví dụ điển hình:

  • Hàng không vũ trụ: Lớp phủ ceramic chịu nhiệt (Thermal Barrier Coating) bảo vệ lưỡi tua bin khí đến 1100 °C.
  • Ô tô: Lớp phủ xi lanh, piston giúp giảm ma sát và tăng tuổi thọ động cơ.
  • Sản xuất khuôn: Hồ phun plasma trên khuôn dập kim loại, kéo dài tuổi thọ khuôn lên 2–3 lần.
  • Y sinh: Lớp phủ hydroxyapatite lên implant titanium tăng tương hợp sinh học và thúc đẩy tích hợp xương (ScienceDirect).

Ưu nhược điểm

Tóm tắt: Ưu điểm của phun plasma bao gồm:

  • Lớp phủ bám dính cơ học cao, đồng nhất.
  • Khả năng điều chỉnh độ xốp và độ dày linh hoạt.
  • Phạm vi vật liệu rộng: gốm, kim loại, composite.

Hạn chế chính:

  • Thiết bị và tiêu thụ năng lượng cao, chi phí vận hành lớn.
  • Khó kiểm soát oxi hóa với vật liệu dễ phản ứng trong môi trường APS.
  • Ứng suất nhiệt cao có thể gây nứt, yêu cầu xử lý hậu phun tốn thời gian.

Xu hướng nghiên cứu và phát triển

Tóm tắt: Nghiên cứu hiện nay tập trung vào:

  • Phun plasma lạnh (cold spray) giữ nguyên cấu trúc vật liệu gốc, giảm ứng suất nhiệt.
  • Công nghệ hybrid laser–plasma kết hợp lợi thế làm nóng chọn lọc và độ bám dính cao.
  • Phát triển vật liệu nano và siêu mịn để tạo lớp phủ chức năng đa lớp có kiểm soát.
  • Ứng dụng IoT và AI trong giám sát trực tuyến, tối ưu hóa quy trình theo thời gian thực.

Các xu hướng này hứa hẹn nâng cao chất lượng lớp phủ, giảm chi phí sản xuất và mở rộng phạm vi ứng dụng trong công nghiệp 4.0.

Các bài báo, nghiên cứu, công bố khoa học về chủ đề phun plasma:

Lớp phủ titan xốp phun plasma chân không trên polyetheretherketone cho phẫu thuật hợp nhất đốt sống cổ cải thiện khả năng tạo xương: Nghiên cứu in vitro và in vivo Dịch bởi AI
Springer Science and Business Media LLC - Tập 23 - Trang 1-11 - 2021
Bệnh thoái hóa cổ là một bệnh phổ biến và thường gặp, ảnh hưởng nghiêm trọng đến sức khỏe và chất lượng cuộc sống của bệnh nhân trên toàn thế giới. Phẫu thuật giải nén cổ trước và hợp nhất thân đốt sống hiện đang được công nhận là tiêu chuẩn vàng trong điều trị bệnh thoái hóa đốt sống cổ. Polyetheretherketone (PEEK) đã trở thành vật liệu chủ yếu trong phẫu thuật hợp nhất đốt sống cổ. Mặc dù PEEK c...... hiện toàn bộ
#bệnh thoái hóa cổ #phẫu thuật hợp nhất #polyetheretherketone #titan #hoạt tính tạo xương
Chế tạo Poly(N-isopropylacrylamide) với Tốc độ Lớn và Giai Đoạn Chuyển Đổi Dễ Dàng Hơn Bằng Phương Pháp Phun Hóa Hơi Hóa Học Tăng Cường Plasma Có Khởi Đầu Dịch bởi AI
Plasma Chemistry and Plasma Processing - Tập 40 - Trang 1063-1079 - 2020
Nghiên cứu này trình bày việc chế tạo các màng mỏng poly(N-isopropylacrylamide) (PNIPAAm) nhạy nhiệt bằng phương pháp phun hóa hơi hóa học tăng cường plasma có khởi đầu (i-PECVD), trong đó chất khởi đầu tert-butyl peroxide được sử dụng cùng với monomer NIPAAm. Tốc độ lắng đọng, các tính chất ướt, và nhiệt độ dung dịch lớn nhất thấp (LCST) của PNIPAAm lắng đọng bằng i-PECVD được so sánh với các kỹ ...... hiện toàn bộ
#poly(N-isopropylacrylamide) #PNIPAAm #i-PECVD #tốc độ lắng đọng #nhiệt độ dung dịch lớn nhất thấp (LCST) #plasma
Xử lý plasma phun precursor dung dịch trong tổng hợp vật liệu nano Dịch bởi AI
JOM - Tập 59 - Trang 54-59 - 2007
Phương pháp tổng hợp plasma phun precursor dung dịch (SPPS) là một kỹ thuật đơn giản, một bước và nhanh chóng để tổng hợp các vật liệu gốm nano từ các precursor dung dịch. Phương pháp đổi mới này sử dụng các precursor trộn lẫn ở cấp độ phân tử dưới dạng lỏng, tránh việc phải sử dụng một phương pháp xử lý riêng biệt để chuẩn bị bột và cho phép tổng hợp một loạt các bột và lớp phủ oxit kim loại. Ngo...... hiện toàn bộ
#phun plasma #vật liệu nanocomposite #gốm nano #oxit kim loại #tổng hợp vật liệu
Cải thiện các điện phân YSZ được phun plasma cho pin nhiên liệu oxide rắn bằng cách bổ sung alumina Dịch bởi AI
Ionics - Tập 16 - Trang 447-453 - 2010
Phun plasma khí quyển là một quy trình nhanh chóng và tiết kiệm cho việc lắng đọng điện phân zirconia ổn định yttria (YSZ) cho pin nhiên liệu oxide rắn. Các bột YSZ đã được sử dụng để chuẩn bị các lớp gốm mỏng phun plasma trên nền kim loại bằng công nghệ phun plasma ở áp suất khí quyển. Việc pha alumina được áp dụng để cải thiện các đặc tính cấu trúc và tính chất điện của YSZ. Ảnh hưởng của việc b...... hiện toàn bộ
#phun plasma khí quyển #zirconia ổn định yttria #điện phân #alumina #pin nhiên liệu oxide rắn
Độ bền bám dính của lớp phủ phun plasma lên vật liệu nền Dịch bởi AI
Soviet Powder Metallurgy and Metal Ceramics - Tập 6 - Trang 483-485 - 1967
Ảnh hưởng của độ dày lớp phủ đến độ bền dính của lớp phủ với vật liệu nền đã được nghiên cứu. Kết quả cho thấy tính chất của ảnh hưởng này về cơ bản là tương tự nhau đối với các vật liệu khác nhau và bị chi phối bởi ứng suất nội tại trong hệ thống lớp phủ/vật liệu nền. Bằng cách ngoại suy các đường cong độ bền dính so với độ dày lớp phủ, có thể xác định giá trị của độ bền dính không bị ảnh hưởng b...... hiện toàn bộ
TỐI ƯU HÓA CÁC THÔNG SỐ QUÁ TRÌNH PHUN PLASMA ĐỂ NÂNG CAO ĐỘ BÁM DÍNH CỦA LỚP PHỦ Al2O3-40TiO2
Tạp chí khoa học và công nghệ - Tập 26 - Trang 14-20 - 2020
Độ bám dính của lớp phủ phun nhiệt có vai trò quyết định đến tuổi thọ làm việc của chi tiết trong điều kiện chịu mài mòn. Ngoài các yếu tố liên quan đến tính chất vật liệu thì thông số quá trình phun ảnh hưởng rất lớn đến khả năng bám dính của lớp phủ với kim loại nền. Bài báo này trình bày kết quả nghiên cứu tối ưu hóa các thông số phun Plasma bao gồm: Cường độ dòng điện (I), Tốc độ cấp bột (M), ...... hiện toàn bộ
#Phun plasma #Tối ưu hóa #Độ bền bám dính #Thép C45 #lớp phủ Al2O3-TiO2
Cấu trúc vi mô của vật liệu siêu dẫn YBa2Cu3Ox được phun plasma Dịch bởi AI
Journal of Materials Science - Tập 26 - Trang 3803-3808 - 1991
Quá trình phun plasma có vầng cung đã được áp dụng để phủ các vật liệu siêu dẫn YBaCuO lên nền thép. Các lớp phủ được phun tách rời đã được xử lý nhiệt ở nhiệt độ 950 °C trong không khí nhằm phục hồi khả năng siêu dẫn. Quá trình ủ oxy ở nhiệt độ 400–500 °C được sử dụng như giai đoạn cuối trong việc chuẩn bị vật liệu. Những thay đổi trong cấu trúc vi mô của vật liệu trong quá trình xử lý nhiệt đã đ...... hiện toàn bộ
#siêu dẫn #YBaCuO #phun plasma #xử lý nhiệt #cấu trúc vi mô
Beryllium Phun Plasma trên Cơ Sở Thô Macro cho Ứng Dụng Flux Nhiệt Cao trong Lò Phản Ứng Nhiệt Hạch Dịch bởi AI
Journal of Thermal Spray Technology - Tập 16 - Trang 96-103 - 2007
Sự phát triển của các thành phần tiếp xúc plasma của bức tường đầu tiên (FW) bằng beryllium cho các thí nghiệm nhiệt hạch giam giữ từ tính trong tương lai, như lò phản ứng thí nghiệm nhiệt hạch quốc tế (ITER), là một chủ đề rất quan trọng khi nghiên cứu về các nguồn năng lượng lâu dài ngày càng cấp bách. Các thành phần FW phải có khả năng tồn tại trong môi trường plasma khắc nghiệt trong một khoản...... hiện toàn bộ
#Plasma #Beryllium #Thí nghiệm Nhiệt Hạch #Lò Phản Ứng #Flux Nhiệt Cao #Phun Plasma
Kỹ thuật lắng đọng hỗ trợ bằng plasma để tổng hợp màng mỏng polyanisidine có hằng số điện môi thấp Dịch bởi AI
IEEE Conference Record - Abstracts. 2002 IEEE International Conference on Plasma Science (Cat. No.02CH37340) - - Trang 292
Chỉ cung cấp dưới dạng tóm tắt. Chúng tôi báo cáo về việc chuẩn bị các màng mỏng polyanisidine điện môi thấp bằng cách sử dụng kỹ thuật polymer hóa plasma xoay chiều. Các nghiên cứu FTIR cho thấy rằng vòng thơm được giữ lại trong các màng polymer. Điều này sẽ nâng cao độ ổn định nhiệt của các màng. Điện dung điện môi và tổn thất điện môi của các màng này được đo bằng máy phân tích trở kháng HP4192...... hiện toàn bộ
#Hằng số điện môi #Màng mỏng điện môi #Kỹ thuật phun tia #Màng polymer #Đo lường tổn thất điện môi #Đo lường plasma #Tổn thất điện môi #Tần số #Màng dẫn điện #Nhiệt độ plasma
Tổng số: 34   
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4